主封装形式双列直插式（DIP封装）扁平封装（PLCC封装）CMOS集成电路的性能特征微功耗 - CMOS电路的单栅静态功耗约为纳瓦（nw）。
高噪声容限 - CMOS电路的噪声容限通常高于40％的电源电压。
宽工作电压范围 - CMOS电路的电源电压通常为1.5至18伏。
高逻辑摆幅 - CMOS电路输出高电平和低电平达到VDD的全功率，逻辑“0”。
是VSS。
高输入阻抗 - CMOS电路的输入阻抗大于108Ω，通常高达1010Ω。
高扇出能力 - CMOS电路的扇出能力大于50.低输入电容 - CMOS电路的输入电容通常不大于5 PF。
宽工作温度范围 - 陶瓷封装CMOS电路工作温度范围为-55°C~125°C;塑料CMOS电路的温度为C40°C~85°C。
为什么CMOS电路的直流功耗接近于零？ JEDEC最低工业标准JEDEC最低标准是电子工业协会（EIA）联合电子器件工程委员会（JEDEC）主持的CMOS集成电路的最小工业和最大参数。
标准。
下表显示了JEDEC开发的CMOS集成电路的最大额定范围：电源电压：VDD~VSS18~-0.5V（DC）DC输入电流：IIN 10mA（DC）输入电压：VIVSS≤VI≤VDD+ 0.5V （DC）设备功耗：PD200mw工作温度范围：T-55~125（陶瓷密封），-40~85（塑料密封）°C存储温度范围：TSTG-65~150°C输入/输出信号规则所有CMOS电路输入端子不能浮动。
最好使用上拉或下拉电阻来保护器件免受损坏。
在某些应用中，输入被分流到一个电阻器中，以限制流过保护二极管的电流不超过10 mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us，否则必须在施密特电路成形后输入CMOS开关电路。
避免CMOS电路直接驱动双极晶体管，否则CMOS电路的功耗可能超过规格。
CMOS缓冲器或高电流驱动器由于其低输出阻抗，在使用大负载电容（≥500PF）时，必须注意这些电路等效于输出短路。
CMOS电路的输出不能并联连接到线路逻辑状态。
由于导通的PMOS晶体管和导通的NMOS晶体管的低输出阻抗使电源短路。
